MOSFET Vishay, Tipo P-Canal SI7119DN-T1-GE3, VDSS 200 V, ID 3.8 A, PowerPAK 1212-8 de 8 pines
- Código RS:
- 180-7307
- Nº ref. fabric.:
- SI7119DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- 180-7307
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- SI7119DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 3.8A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 200V | |
| Encapsulado | PowerPAK 1212-8 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.1Ω | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 10.6nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | 50°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 52W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1.07mm | |
| Certificaciones y estándares | IEC 61249-2-21 | |
| Anchura | 3.3mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 3.8A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V | ||
Encapsulado PowerPAK 1212-8 | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.1Ω | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 10.6nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima 50°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 52W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1.07mm | ||
Certificaciones y estándares IEC 61249-2-21 | ||
Anchura 3.3mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET Vishay
El MOSFET POWERPAK-1212-8 de canal P de montaje en superficie Vishay es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 200V V y una tensión de fuente de compuerta máxima de 20V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 1050mohms a una tensión de fuente de puerta de 10V V. Ofrece una disipación de potencia máxima de 52W mW y una corriente de drenaje continua de 3,8A A. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. Tiene aplicaciones en la abrazadera activa en fuentes de alimentación dc/dc intermedias. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.
Características y ventajas
• Libre de halógenos
• encapsulado powerpak de baja resistencia térmica con tamaño pequeño y perfil bajo de 1,07 mm
• de potencia de disipación máxima de 52W mW
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 50 °C y 150 °C.
• MOSFET de potencia TrenchFET
Certificaciones
• ANSI/ESD S20,20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
• Rg probado
• UIS probado
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