MOSFET Vishay SIS413DN-T1-GE3

El MOSFET Vishay es un encapsulado POWERPAK-1212-8 de canal P y es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 30V V y una tensión de fuente de compuerta máxima de 20V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 9,4mohm a una tensión de fuente de puerta de 10V V. Tiene una disipación de potencia máxima de 52W mW. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

• Componente libre de halógenos y plomo (Pb)
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.
• MOSFET de potencia TrenchFET

• Interruptores adaptadores
• Interruptores de carga
• Computación móvil
• Gestión de alimentación