MOSFET Vishay, Tipo P-Canal SI7315DN-T1-GE3, VDSS 150 V, ID 8.9 A, PowerPAK 1212-8 de 8 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
180-7728
Nº ref. fabric.:
SI7315DN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

8.9A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

150V

Encapsulado

PowerPAK 1212-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.315Ω

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

15.4nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±30 V

Disipación de potencia máxima Pd

52W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

50°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1.12mm

Anchura

3.61 mm

Longitud

3.61mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El Vishay SI7315DN es un MOSFET de canal P doble que tiene una tensión de drenador a fuente (VDS) de 150V V. La tensión de puerta a fuente (VGS) es de 30V V. Dispone de encapsulado PAK 1212-8 de alimentación. Ofrece resistencia de drenaje a fuente (RDS) 0,315ohms a 10VGS y 0,35ohms a 7,5VGS. Corriente de drenaje máxima: 8,9A A.

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