- Código RS:
- 180-7909
- Nº ref. fabric.:
- SIS412DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 180-7909
- Nº ref. fabric.:
- SIS412DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
- COO (País de Origen):
- CN
Datos del Producto
MOSFET Vishay
El MOSFET POWERPAK-1212-8 de canal N de montaje en superficie Vishay es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 30V V y una tensión de fuente de compuerta máxima de 20V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 24mohms a una tensión de fuente de puerta de 10V V. Ofrece una disipación de potencia máxima de 10W mW y una corriente de drenaje continua de 12A A. Tiene una tensión de accionamiento mínima y máxima de 4,5V V y 10V V respectivamente. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.
Características y ventajas
• Libre de halógenos
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.
• MOSFET de potencia TrenchFET
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.
• MOSFET de potencia TrenchFET
Aplicaciones
• Interruptores de carga
• Ordenadores portátiles
• Alimentación del sistema
• Ordenadores portátiles
• Alimentación del sistema
Certificaciones
• ANSI/ESD S20,20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• Rg probado
• BS EN 61340-5-1:2007
• Rg probado