MOSFET Vishay, Tipo N-Canal, VDSS 30 V, ID 12 A, PowerPAK 1212-8 de 8 pines

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Código RS:
180-7358
Nº ref. fabric.:
SIS412DN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

12A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

PowerPAK 1212-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.03Ω

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

3.8nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Disipación de potencia máxima Pd

15.6W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

0.79mm

Longitud

3.61mm

Certificaciones y estándares

IEC 61249-2-21

Anchura

3.61 mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET Vishay


El MOSFET de Vishay es un encapsulado POWERPAK-1212-8 de canal N y es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 30V V y una tensión de fuente de compuerta máxima de 20V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 24mohm a una tensión de fuente de puerta de 10V V. Tiene una disipación de potencia máxima de 15,6W mW. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

Características y ventajas


• Componente libre de halógenos y plomo (Pb)

• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.

• MOSFET de potencia TrenchFET

Aplicaciones


• Interruptores de carga

• Ordenadores portátiles

• Alimentación del sistema

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