MOSFET Vishay, Tipo P-Canal SI7315DN-T1-GE3, VDSS 150 V, ID 8.9 A, PowerPAK 1212-8 de 8 pines
- Código RS:
- 180-7314
- Nº ref. fabric.:
- SI7315DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 180-7314
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- SI7315DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 8.9A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 150V | |
| Encapsulado | PowerPAK 1212-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.315Ω | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 15.4nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | 50°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 52W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1.12mm | |
| Longitud | 3.61mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Anchura | 3.61mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 8.9A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V | ||
Encapsulado PowerPAK 1212-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.315Ω | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 15.4nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima 50°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 52W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1.12mm | ||
Longitud 3.61mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Anchura 3.61mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El Vishay SI7315DN es un MOSFET de canal P doble que tiene una tensión de drenador a fuente (VDS) de 150V V. La tensión de puerta a fuente (VGS) es de 30V V. Dispone de encapsulado PAK 1212-8 de alimentación. Ofrece resistencia de drenaje a fuente (RDS) 0,315ohms a 10VGS y 0,35ohms a 7,5VGS. Corriente de drenaje máxima: 8,9A A.
MOSFET de potencia Trench FET
Encapsulado Power PAK de baja resistencia térmica con tamaño pequeño
100 % Rg y UIS probados
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