MOSFET Vishay SIS413DN-T1-GE3
- Código RS:
- 180-7359
- Nº ref. fabric.:
- SIS413DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 11/07/2024, con entrega en 4 día(s) laborable(s).
Añadido
Precio unitario (Suministrado en Carretes de 3000)
0,205 €
(exc. IVA)
0,248 €
(inc.IVA)
| Unidades | Por unidad | Por Carrete* |
| 3000 + | 0,205 € | 615,00 € |
| *precio indicativo | ||
- Código RS:
- 180-7359
- Nº ref. fabric.:
- SIS413DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
- COO (País de Origen):
- CN
Datos del Producto
MOSFET Vishay
El MOSFET Vishay es un encapsulado POWERPAK-1212-8 de canal P y es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 30V V y una tensión de fuente de compuerta máxima de 20V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 9,4mohm a una tensión de fuente de puerta de 10V V. Tiene una disipación de potencia máxima de 52W mW. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.
Características y ventajas
• Componente libre de halógenos y plomo (Pb)
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.
• MOSFET de potencia TrenchFET
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.
• MOSFET de potencia TrenchFET
Aplicaciones
• Interruptores adaptadores
• Interruptores de carga
• Computación móvil
• Gestión de alimentación
• Interruptores de carga
• Computación móvil
• Gestión de alimentación