MOSFET Vishay, Tipo P-Canal SIS407ADN-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 18 A, PowerPAK 1212-8 de 8 pines, config. Simple
- Código RS:
- 180-7892
- Nº ref. fabric.:
- SIS407ADN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 0,57 € | 11,40 € |
| 200 - 480 | 0,559 € | 11,18 € |
| 500 - 980 | 0,439 € | 8,78 € |
| 1000 - 1980 | 0,354 € | 7,08 € |
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*precio indicativo
- Código RS:
- 180-7892
- Nº ref. fabric.:
- SIS407ADN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 18A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Encapsulado | PowerPAK 1212-8 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.009Ω | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 63nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 39.1W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±8 V | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 0.79mm | |
| Longitud | 3.61mm | |
| Anchura | 3.61 mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 18A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Encapsulado PowerPAK 1212-8 | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.009Ω | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 63nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 39.1W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±8 V | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 0.79mm | ||
Longitud 3.61mm | ||
Anchura 3.61 mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET Vishay
El MOSFET Vishay es un encapsulado POWERPAK-1212-8 de canal P y es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 20V V y una tensión de fuente de compuerta máxima de 8V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 9mohm a una tensión de fuente de puerta de 4,5V V. Tiene una disipación de potencia máxima de 39,1W mW. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.
Características y ventajas
• Libre de halógenos
• Componente sin plomo (Pb)
• encapsulado POWERPAK de baja resistencia térmica
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.
• MOSFET de potencia TrenchFET
Aplicaciones
• Interruptores adaptadores
• Gestión de la batería
• Interruptores de carga
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