MOSFET Vishay Siliconix SiSS02DN-T1-GE3, VDSS 25 V, ID 80 A, 1212 de 8 pines, config. Simple

Código RS:: 178-3899
Nº ref. fabric.:: SiSS02DN-T1-GE3
Fabricante:: Vishay Siliconix

MOSFET Vishay Siliconix SiSS02DN-T1-GE3, VDSS 25 V, ID 80 A, 1212 de 8 pines, config. Simple

999999999 Disponible para entrega en 24 horas

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 10)

1,785 €

(exc. IVA)

2,16 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
10 +	1,785 €	17,85 €

*precio indicativo

Código RS:: 178-3899
Nº ref. fabric.:: SiSS02DN-T1-GE3
Fabricante:: Vishay Siliconix

Documentación Técnica

Datasheet

Legislación y Conformidad

Estado RoHS: No aplica

COO (País de Origen):: CN

Datos del Producto

CARACTERÍSTICAS
MOSFET de alimentación TrenchFET® Gen IV
RDS(on) muy baja en un encapsulado térmicamente mejorado
y compacto
Valores de Qg, Qgd y relación Qgd/Qgs optimizados a fin de reducir
la pérdida de potencia relacionada con la conmutación
APLICACIONES
Rectificación síncrona
Convertidor reductor síncrono
Convertidor dc/dc de alta densidad de potencia
OR-ing
Conmutación de carga

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	80 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	25 V
Tipo de Encapsulado	1212
Serie	TrenchFET
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	1 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	1V
Tensión de umbral de puerta mínima	2.2V
Disipación de Potencia Máxima	65,7 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-12 V, +16 V
Ancho	3.15mm
Número de Elementos por Chip	1
Material del transistor	Si
Longitud	3.15mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	55 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Altura	1.07mm
Tensión de diodo directa	1.1V
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET Vishay Siliconix SiSS02DN-T1-GE3, VDSS 25 V, ID 80 A, 1212 de 8 pines, config. Simple

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