MOSFET, Tipo N-Canal Vishay Siliconix, VDSS 100 V, ID 14.2 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- Código RS:
- 178-3693
- Nº ref. fabric.:
- SiS110DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*
795,00 €
(exc. IVA)
963,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 02 de noviembre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,265 € | 795,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 178-3693
- Nº ref. fabric.:
- SiS110DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 14.2A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | PowerPAK 1212 | |
| Serie | SiS110DN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 70mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 24W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 8.5nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 3.15mm | |
| Altura | 1.07mm | |
| Longitud | 3.15mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 14.2A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado PowerPAK 1212 | ||
Serie SiS110DN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 70mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 24W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 8.5nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 3.15mm | ||
Altura 1.07mm | ||
Longitud 3.15mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
Estado RoHS: No aplica
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET serie SiS110DN de Siliconix de Vishay, tensión de fuente de drenaje de 100 V, corriente de drenaje continua de 14,2 A - SiS110DN-T1-GE3
Este MOSFET de canal n es un transistor de conmutación de montaje en superficie diseñado para aplicaciones de conversión de potencia y control en sistemas industriales. Funciona como un dispositivo de modo de mejora capaz de manejar tensiones y corrientes moderadas a altas, lo que proporciona una conmutación eficiente en conjuntos compactos de montaje superficial.
Características y ventajas:
• El valor nominal de drenaje-fuente de 100 V permite aplicaciones de conmutación de alta tensión • La corriente de drenaje continua de 14,2 A admite corrientes de carga sustanciales • La Rds(on) de 70 mΩ minimiza las pérdidas de conducción durante el funcionamiento • La carga de puerta de 8,5 nC reduce la energía de conmutación y los requisitos de accionamiento • La disipación de potencia de 24 W gestiona la carga térmica en configuraciones restringidas • La temperatura de unión máxima de 150 °C permite condiciones de funcionamiento elevadas
Aplicaciones
• Apto para etapas de conmutación de convertidores dc-dc en equipos de automatización • Ideal para circuitos de medio puente de accionamiento de motor en sistemas de fábrica • Se utiliza para la gestión de potencia en unidades de control industriales • Puede utilizarse para conmutación de carga en módulos de distribución eléctrica
¿Qué estilo de montaje requiere para el montaje?
Se suministra en un encapsulado compacto de montaje en superficie PowerPAK 1212 diseñado para montaje en PCB soldado y diseños de placa de perfil bajo.
¿Qué amplio rango de temperaturas puede tolerar en servicio?
Está clasificado para funcionar desde -55 °C ambiente hasta una temperatura de unión máxima de 150 °C, lo que permite su uso en entornos con variación térmica sustancial.
¿Qué límites de tensión de puerta deben observar los diseñadores?
El dispositivo permite tensiones de fuente de puerta de hasta 20 V
los diseños deben garantizar que el accionamiento de la puerta permanezca dentro de esta restricción para proteger el óxido de la puerta.
¿Cuántos contactos presenta el encapsulado para la integración del circuito?
El paquete incluye ocho contactos para alojar conexiones de drenaje, fuente y puerta y para facilitar el enrutamiento térmico y eléctrico en la PCB.
¿Esta pieza está especificada para uso en automoción?
No está designado conforme a los estándares de automoción y no debe elegirse donde la calificación de grado de automoción es obligatoria.
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines