MOSFET, N-Canal Vishay Siliconix SiS110DN-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 14.2 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- Código RS:
- 178-3693
- Nº ref. fabric.:
- SiS110DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
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- Código RS:
- 178-3693
- Nº ref. fabric.:
- SiS110DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay Siliconix | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 14.2A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | PowerPAK 1212 | |
| Serie | SiS110DN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 70mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 8.5nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 24W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1.07mm | |
| Longitud | 3.15mm | |
| Anchura | 3.15mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay Siliconix | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 14.2A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado PowerPAK 1212 | ||
Serie SiS110DN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 70mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 8.5nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 24W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1.07mm | ||
Longitud 3.15mm | ||
Anchura 3.15mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
Estado RoHS: No aplica
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET serie SiS110DN de Vishay, tensión de fuente de drenaje de 100 V, corriente de drenaje continua de 14,2 A - SiS110DN-T1-GE3
Este MOSFET es un transistor de canal N de montaje en superficie diseñado para la conmutación y la gestión de potencia en conjuntos electrónicos compactos. Funciona en un amplio rango ambiente y está diseñado para aplicaciones que requieren un equilibrio entre el manejo de tensión, la capacidad de corriente y la carga de puerta moderada para un control eficiente.
Características y ventajas:
• La tolerancia de drenaje de 100 V permite una capacidad de conmutación de alta tensión
• La baja RDS(on) de 70 mΩ reduce las pérdidas por conducción
• La corriente de drenaje continua de 14,2 A admite corrientes de carga sustanciales
• La disipación de potencia de 24 W permite un manejo de potencia sostenido
• La carga de puerta típica de 8,5 nC facilita la conducción sensible de la puerta
• La potencia nominal de fuente de puerta de ±20 V ofrece un margen de tensión de puerta robusto
• La baja RDS(on) de 70 mΩ reduce las pérdidas por conducción
• La corriente de drenaje continua de 14,2 A admite corrientes de carga sustanciales
• La disipación de potencia de 24 W permite un manejo de potencia sostenido
• La carga de puerta típica de 8,5 nC facilita la conducción sensible de la puerta
• La potencia nominal de fuente de puerta de ±20 V ofrece un margen de tensión de puerta robusto
Aplicaciones
• Apto para etapas de conmutación de convertidor dc-dc
• Ideal para conmutación de accionamiento de motor de lado bajo
• Se utiliza con rectificación síncrona en fuentes de alimentación
• Puede utilizarse para conmutar cargas en equipos de telecomunicaciones
• Apto para la gestión de baterías y la distribución de energía
• Ideal para conmutación de accionamiento de motor de lado bajo
• Se utiliza con rectificación síncrona en fuentes de alimentación
• Puede utilizarse para conmutar cargas en equipos de telecomunicaciones
• Apto para la gestión de baterías y la distribución de energía
¿Qué rango térmico puedo esperar para un funcionamiento fiable?
El dispositivo está especificado para funcionar desde -55 °C hasta 150 °C, lo que permite su uso en entornos con gran variación de temperatura.
¿Cómo admite el encapsulado el montaje y la refrigeración de la placa de circuito impreso?
Se suministra en un encapsulado compacto PowerPAK1212 para una colocación de montaje en superficie de perfil bajo y una transferencia térmica razonable a la PCB.
¿Qué consideraciones de accionamiento de puerta se aplican dada la carga de puerta?
Con una carga de puerta típica de 8,5 nC, los controladores de puerta deben generar y absorber suficiente corriente para conmutar a la velocidad deseada sin pérdidas excesivas de accionamiento.
¿Hay alguna restricción regulatoria para este componente?
El componente cumple los requisitos RoHS para sustancias restringidas en montajes electrónicos.
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