MOSFET, Tipo N-Canal Vishay Siliconix SiSS12DN-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 60 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines

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Código RS:
178-3920
Nº ref. fabric.:
SiSS12DN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
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Marca

Vishay Siliconix

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

60A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

PowerPAK 1212

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

65.7W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

59nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

3.15 mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

3.15mm

Altura

1.07mm

Estándar de automoción

No

Estado RoHS: No aplica

COO (País de Origen):
CN
MOSFET de alimentación TrenchFET® Gen IV

RDS(on) muy baja en un encapsulado térmicamente mejorado y compacto

Optimizado para relación Qg, Qgd y Qgd/Qgs a fin de reducir la conmutación relacionada con la pérdida de potencia

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