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    MOSFET Vishay Siliconix SiS110DN-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 14,2 A, PowerPAK 1212-8 de 8 pines, , config. Simple

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    Por Pack*
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    *precio indicativo

    Opciones de empaquetado:
    Código RS:
    178-3962
    Nº ref. fabric.:
    SiS110DN-T1-GE3
    Fabricante:
    Vishay Siliconix

    Estado RoHS: No aplica

    COO (País de Origen):
    CN
    Atributo
    Valor
    Tipo de CanalN
    Corriente Máxima Continua de Drenaje14,2 A
    Tensión Máxima Drenador-Fuente100 V
    SerieTrenchFET
    Tipo de EncapsuladoPowerPAK 1212-8
    Tipo de MontajeMontaje superficial
    Conteo de Pines8
    Resistencia Máxima Drenador-Fuente70 mΩ
    Modo de CanalMejora
    Tensión de umbral de puerta máxima2V
    Tensión de umbral de puerta mínima4V
    Disipación de Potencia Máxima24 W
    Configuración de transistorSimple
    Tensión Máxima Puerta-Fuente±20 V
    Material del transistorSi
    Carga Típica de Puerta @ Vgs8,5 nC a 10 V
    Número de Elementos por Chip1
    Ancho3.15mm
    Temperatura Máxima de Funcionamiento+150 °C
    Longitud3.15mm
    Temperatura de Funcionamiento Mínima-55 °C
    Altura1.07mm
    Tensión de diodo directa1.2V

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