MOSFET, Tipo N-Canal Vishay Siliconix SiS110DN-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 14.2 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines

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Código RS:
178-3962
Nº ref. fabric.:
SiS110DN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
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Marca

Vishay Siliconix

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

14.2A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

PowerPAK 1212

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

70mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

24W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

8.5nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.07mm

Longitud

3.15mm

Anchura

3.15 mm

Estándar de automoción

No

Estado RoHS: No aplica

COO (País de Origen):
CN
TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM

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