MOSFET Vishay Siliconix SiSS02DN-T1-GE3, VDSS 25 V, ID 80 A, 1212 de 8 pines, config. Simple

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Código RS:
178-3698
Nº ref. fabric.:
SiSS02DN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
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Marca

Vishay Siliconix

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

80 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

25 V

Tipo de Encapsulado

1212

Serie

TrenchFET

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.2V

Disipación de Potencia Máxima

65,7 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-12 V, +16 V

Longitud

3.15mm

Material del transistor

Si

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Ancho

3.15mm

Número de Elementos por Chip

1

Carga Típica de Puerta @ Vgs

55 nC a 10 V

Altura

1.07mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.1V

Estado RoHS: No aplica

COO (País de Origen):
CN
CARACTERÍSTICAS
MOSFET de alimentación TrenchFET® Gen IV
RDS(on) muy baja en un encapsulado térmicamente mejorado
y compacto
Valores de Qg, Qgd y relación Qgd/Qgs optimizados a fin de reducir
la pérdida de potencia relacionada con la conmutación
APLICACIONES
Rectificación síncrona
Convertidor reductor síncrono
Convertidor dc/dc de alta densidad de potencia
OR-ing
Conmutación de carga

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