MOSFET Vishay Siliconix SIRC06DP-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 60 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines, 2elementos, config. Simple

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
178-3940
Nº ref. fabric.:
SIRC06DP-T1-GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
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Marca

Vishay Siliconix

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

60 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 V

Serie

TrenchFET

Tipo de Encapsulado

PowerPAK SO-8

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

4 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.1V

Disipación de Potencia Máxima

50 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-16 V, +20 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Material del transistor

Si

Longitud

5.99mm

Número de Elementos por Chip

2

Ancho

5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

38,5 nC a 10 V

Altura

1.07mm

Tensión de diodo directa

0.7V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Estado RoHS: No aplica

COO (País de Origen):
CN
MOSFET de alimentación TrenchFET® Gen IV
SkyFET® con diodo Schottky monolítico

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