MOSFET Vishay SIR882ADP-T1-GE3

El MOSFET POWERPAK-SO-8 de canal N de montaje en superficie Vishay es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 100V V y una tensión de fuente de compuerta máxima de 20V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 8,7mohms a una tensión de fuente de puerta de 10V V. Ofrece una disipación de potencia máxima de 83W mW y una corriente de drenaje continua de 60A A. Tiene una tensión de accionamiento mínima y máxima de 4,5V V y 10V V respectivamente. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

• Libre de halógenos
• Componente sin plomo (Pb)
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.
MOSFET de potencia TrenchFET de • V para conmutación rápida

• Interruptor de lado primario de CC/CC
• Sitios industriales
• Telecom/servidor 48V, puente completo/medio DC/DC

• ANSI/ESD S20,20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• Rg probado
• UIS probado