- Código RS:
- 180-7355
- Nº ref. fabric.:
- SIR882ADP-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 13/09/2024, con entrega en 4 día(s) laborable(s).
Añadido
Precio unitario (Suministrado en Carretes de 3000)
1,403 €
(exc. IVA)
1,698 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Carrete* |
3000 + | 1,403 € | 4.209,00 € |
*precio indicativo |
- Código RS:
- 180-7355
- Nº ref. fabric.:
- SIR882ADP-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
- COO (País de Origen):
- CN
Datos del Producto
MOSFET Vishay
El MOSFET POWERPAK-SO-8 de canal N de montaje en superficie Vishay es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 100V V y una tensión de fuente de compuerta máxima de 20V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 8,7mohms a una tensión de fuente de puerta de 10V V. Ofrece una disipación de potencia máxima de 83W mW y una corriente de drenaje continua de 60A A. Tiene una tensión de accionamiento mínima y máxima de 4,5V V y 10V V respectivamente. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.
Características y ventajas
Libre de halógenos
Componente sin plomo (Pb)
La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.
MOSFET de potencia TrenchFET de V para conmutación rápida
Componente sin plomo (Pb)
La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.
MOSFET de potencia TrenchFET de V para conmutación rápida
Aplicaciones
Interruptor de lado primario de CC/CC
Sitios industriales
Telecom/servidor 48V, puente completo/medio DC/DC
Sitios industriales
Telecom/servidor 48V, puente completo/medio DC/DC
Certificaciones
ANSI/ESD S20,20:2014
BS EN 61340-5-1:2007
Rg probado
UIS probado
BS EN 61340-5-1:2007
Rg probado
UIS probado