MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 30 V, ID 33 A, PowerPAK SO-8

Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*

717,00 €

(exc. IVA)

867,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 3000 unidad(es) más para enviar a partir del 02 de marzo de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
3000 +0,239 €717,00 €

*precio indicativo

Código RS:
256-7432
Nº ref. fabric.:
SIRA18DP-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

33A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

PowerPAK SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0095Ω

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

Las aplicaciones del mosfet de canal N de Vishay Semiconductor son dc, conversión dc, protección de batería, conmutación de carga e inversores dc, ac.

MOSFET de potencia TrenchFET gen IV

Probado al 100 % Rg y UIS

Qg bajo para alta eficiencia

Enlaces relacionados