MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIRA18DP-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 33 A, PowerPAK SO-8

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
256-7433
Nº ref. fabric.:
SIRA18DP-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

33A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

PowerPAK SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0095Ω

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

Las aplicaciones del mosfet de canal N de Vishay Semiconductor son dc, conversión dc, protección de batería, conmutación de carga e inversores dc, ac.

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