MOSFET, N-Canal Vishay SiRS700DP-T1-GE3, VDSS 171 V, ID 171 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
239-5396
Nº ref. fabric.:
SiRS700DP-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

171A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

171V

Encapsulado

PowerPAK SO-8

Serie

SiR

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0035Ω

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

86nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Disipación de potencia máxima Pd

132W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Anchura

5mm

Longitud

6mm

Estándar de automoción

No

The Vishay TrenchFET N channel power MOSFET has drain current of 171 A. It is used in synchronous rectification, primary side switch, DC/DC converter and motor drive switch.

Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM

100 % Rg and UIS tested

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