MOSFET, N-Canal Vishay SIR424DP-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 30 A, PowerPAK SO-8
- Código RS:
- 256-7422
- Nº ref. fabric.:
- SIR424DP-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 256-7422
- Nº ref. fabric.:
- SIR424DP-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 30A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Encapsulado | PowerPAK SO-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0095Ω | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 30A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Encapsulado PowerPAK SO-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0095Ω | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El mosfet iTime de canal N de Vishay Semiconductor es sin halógenos de acuerdo con la definición IEC 61249-2-21 y sus aplicaciones son convertidores reductores, POL, dc, dc.
MOSFET de potencia TrenchFET
100 % Rg probado
100 % probado UIS