MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIJ482DP-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 60 A, PowerPAK SO-8L

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
256-7419
Nº ref. fabric.:
SIJ482DP-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

60A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Encapsulado

PowerPAK SO-8L

Tipo de montaje

Superficie

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0095Ω

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El mosfet de canal N de 80 V (D-S) de Vishay Semiconductor de 60 A (Tc) 5 W (Ta), 69,4 W (Tc) de montaje superficial y sus aplicaciones son dc, interruptor lateral primario dc, rectificación síncrona y conmutación de alta corriente.

MOSFET de potencia TrenchFET

Probado al 100 % Rg y UIS

Capaz de funcionar con accionamiento de puerta de 5 V

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