MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIRA10DP-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 60 A, PowerPAK SO-8
- Código RS:
- 256-7429
- Nº ref. fabric.:
- SIRA10DP-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 0,828 € | 4,14 € |
| 50 - 95 | 0,764 € | 3,82 € |
| 100 - 245 | 0,742 € | 3,71 € |
| 250 - 995 | 0,728 € | 3,64 € |
| 1000 + | 0,598 € | 2,99 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 256-7429
- Nº ref. fabric.:
- SIRA10DP-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 60A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | PowerPAK SO-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0095Ω | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 60A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado PowerPAK SO-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0095Ω | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El transmosfet de canal N de 30 V, 35,9 A y 8 contactos powerPAK SO T, R de Vishay Semiconductor. Sus aplicaciones son rectificación síncrona, dc, dc y VRM de alta densidad de potencia y dc, dc y dc integrados.
MOSFET de potencia TrenchFET
Probado al 100 % Rg y UIS
Qg bajo para alta eficiencia