MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIR424DP-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 30 A, PowerPAK SO-8

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Código RS:
256-7423
Nº ref. fabric.:
SIR424DP-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

30A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Encapsulado

PowerPAK SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0095Ω

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El mosfet iTime de canal N de Vishay Semiconductor es sin halógenos de acuerdo con la definición IEC 61249-2-21 y sus aplicaciones son convertidores reductores, POL, dc, dc.

MOSFET de potencia TrenchFET

100 % Rg probado

100 % probado UIS

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