MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIR698DP-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 7.5 A, PowerPAK SO-8

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
256-7425
Nº ref. fabric.:
SIR698DP-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

7.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

PowerPAK SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0095Ω

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El powerPAK SO-8 de montaje en superficie de canal N de Vishay Semiconductor es sin halógenos según la definición IEC 61249-2-21.

MOSFET de potencia TrenchFET

Probado al 100 % Rg y UIS

Qg bajo para alta eficiencia

Conformidad con la directiva RoHS 2002/95/EC

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