MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIJ4106DP-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 59 A, Mejora, SO-8L de 7 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
279-9931
Nº ref. fabric.:
SIJ4106DP-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

59A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

SIJ

Encapsulado

SO-8L

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0083Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

69.4W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

48nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

5.13mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El MOSFET de Vishay es de canal N, y el transistor que contiene está fabricado en un material conocido como silicio.

MOSFET de potencia TrenchFET

Dispositivo completamente libre de plomo (Pb)

RDS muy bajo x factor de mérito Qg

Probado al 100 % en cuanto a Rg y UIS

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