MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIRA88DP-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 45.5 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

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Código RS:
134-9696
Nº ref. fabric.:
SIRA88DP-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

45.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

10mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

25W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

16.8nC

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

6.25mm

Altura

1.12mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal N, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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