MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SI7454DDP-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 21 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 787-9241
- Nº ref. fabric.:
- SI7454DDP-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 paquete de 10 unidades)*
13,98 €
(exc. IVA)
16,92 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 5830 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 1,398 € | 13,98 € |
| 100 - 240 | 1,328 € | 13,28 € |
| 250 - 490 | 1,117 € | 11,17 € |
| 500 - 990 | 0,908 € | 9,08 € |
| 1000 + | 0,768 € | 7,68 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 787-9241
- Nº ref. fabric.:
- SI7454DDP-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 21A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | Si7454DDP | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 47mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 29.7W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 12.8nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 6.25mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1.12mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 21A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie Si7454DDP | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 47mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 29.7W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 12.8nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 6.25mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1.12mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de canal N, de 100 V a 150 V, Vishay Semiconductor
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS -30 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS -30 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SO-8 de 8 pines