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    MOSFET Vishay SIRA14DP-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 58 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines, , config. Simple

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    Por Cinta*
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    *precio indicativo

    Opciones de empaquetado:
    Código RS:
    787-9389
    Nº ref. fabric.:
    SIRA14DP-T1-GE3
    Fabricante:
    Vishay
    Atributo
    Valor
    Tipo de CanalN
    Corriente Máxima Continua de Drenaje58 A
    Tensión Máxima Drenador-Fuente30 V
    Tipo de EncapsuladoPowerPAK SO-8
    SerieTrenchFET
    Tipo de MontajeMontaje superficial
    Conteo de Pines8
    Resistencia Máxima Drenador-Fuente8,5 mΩ
    Modo de CanalMejora
    Tensión de umbral de puerta mínima1.1V
    Disipación de Potencia Máxima31,2 W
    Configuración de transistorSimple
    Tensión Máxima Puerta-Fuente-16 V, +20 V
    Número de Elementos por Chip1
    Material del transistorSi
    Ancho5.26mm
    Carga Típica de Puerta @ Vgs19,4 nC a 10 V
    Temperatura Máxima de Funcionamiento+150 °C
    Longitud6.25mm
    Altura1.12mm
    Temperatura de Funcionamiento Mínima-55 °C

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