MOSFET Vishay SIRA00DP-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 100 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines, , config. Simple

Código RS:: 787-9367
Nº ref. fabric.:: SIRA00DP-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay SIRA00DP-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 100 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines, , config. Simple

999999999 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 5)

0,708 €

(exc. IVA)

0,857 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
5 +	0,708 €	3,54 €

*precio indicativo

Código RS:: 787-9367
Nº ref. fabric.:: SIRA00DP-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de canal N, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	30 V
Serie	TrenchFET
Tipo de Encapsulado	PowerPAK SO-8
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	1,35 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	1.1V
Disipación de Potencia Máxima	104 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-16 V, +20 V
Longitud	6.25mm
Número de Elementos por Chip	1
Ancho	5.26mm
Material del transistor	Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs	147 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	1.12mm