MOSFET, N-Canal Vishay SIRA00DP-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 100 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 787-9367
- Nº ref. fabric.:
- SIRA00DP-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 3,122 € | 15,61 € |
| 50 - 120 | 2,936 € | 14,68 € |
| 125 - 245 | 2,654 € | 13,27 € |
| 250 - 495 | 2,498 € | 12,49 € |
| 500 + | 2,342 € | 11,71 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 787-9367
- Nº ref. fabric.:
- SIRA00DP-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 100A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.35mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 104W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 147nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 5.26mm | |
| Altura | 1.12mm | |
| Longitud | 6.25mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 100A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie TrenchFET | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.35mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 104W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 147nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 5.26mm | ||
Altura 1.12mm | ||
Longitud 6.25mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de canal N, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
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