MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIR416DP-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 27 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 814-1272
- Nº ref. fabric.:
- SIR416DP-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 10 unidades)*
11,16 €
(exc. IVA)
13,50 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 29 de junio de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 1,116 € | 11,16 € |
| 100 - 240 | 1,051 € | 10,51 € |
| 250 - 490 | 0,949 € | 9,49 € |
| 500 - 990 | 0,893 € | 8,93 € |
| 1000 + | 0,838 € | 8,38 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 814-1272
- Nº ref. fabric.:
- SIR416DP-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 27A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Serie | SiR416DP | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4.2mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 69W | |
| Tensión directa Vf | 0.7V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 59nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.25mm | |
| Anchura | 5.26 mm | |
| Altura | 1.12mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 27A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Serie SiR416DP | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.2mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 69W | ||
Tensión directa Vf 0.7V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 59nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.25mm | ||
Anchura 5.26 mm | ||
Altura 1.12mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET de canal N, de 30 V a 50 V, Vishay Semiconductor
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 150 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, SO-8 de 8 pines