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    MOSFET Vishay SIRA00DP-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 100 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines, , config. Simple

    Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 25/10/2024, con entrega en 4 día(s) laborable(s).

    Precio unitario (Suministrado en Carretes de 3000)

    0,86 €

    (exc. IVA)

    1,04 €

    (inc.IVA)

    Unidades
    Unidades
    Por unidad
    Por Carrete*
    3000 +0,86 €2.580,00 €

    *precio indicativo

    Código RS:
    919-4246
    Nº ref. fabric.:
    SIRA00DP-T1-GE3
    Fabricante:
    Vishay

    COO (País de Origen):
    CN
    Atributo
    Valor
    Tipo de CanalN
    Corriente Máxima Continua de Drenaje100 A
    Tensión Máxima Drenador-Fuente30 V
    SerieTrenchFET
    Tipo de EncapsuladoPowerPAK SO-8
    Tipo de MontajeMontaje superficial
    Conteo de Pines8
    Resistencia Máxima Drenador-Fuente1,35 mΩ
    Modo de CanalMejora
    Tensión de umbral de puerta mínima1.1V
    Disipación de Potencia Máxima104 W
    Configuración de transistorSimple
    Tensión Máxima Puerta-Fuente-16 V, +20 V
    Ancho5.26mm
    Número de Elementos por Chip1
    Temperatura Máxima de Funcionamiento+150 °C
    Longitud6.25mm
    Material del transistorSi
    Carga Típica de Puerta @ Vgs147 nC a 10 V
    Temperatura de Funcionamiento Mínima-55 °C
    Altura1.12mm

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