MOSFET, N-Canal Vishay SIR418DP-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 23 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

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Código RS:
165-7266
Nº ref. fabric.:
SIR418DP-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

23A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

SiR418DP

Encapsulado

SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

6mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

710mV

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

50nC

Disipación de potencia máxima Pd

39W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-20V, +20V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

6.25mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

5.26mm

Altura

1.12mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de canal N, de 30 V a 50 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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