MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 25 V, ID 335 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

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Código RS:
228-2915
Nº ref. fabric.:
SIRA20BDP-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

335A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

25V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.58mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

16 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

124nC

Disipación de potencia máxima Pd

104W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El TrenchFET de canal N Vishay es un MOSFET de 25 V.

100 % Rg y UIS probados

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