MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 100 V, ID 8.3 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

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Código RS:
228-2818
Nº ref. fabric.:
Si4056ADY-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

8.3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

SO-8

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

29.2mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

19.2nC

Disipación de potencia máxima Pd

5W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1.75mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia de canal N de generación IV TrenchFET de Vishay se utiliza para interruptor de carga, protección de circuitos y control de accionamiento de motor.

Figura de mérito (FOM) RDS x QG muy baja

Ajustado para el FOM RDS x QOSS más bajo

Controlador de puerta de nivel lógico

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