MOSFET Vishay SIRA88DP-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 45,5 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines, , config. Simple

Código RS:: 134-9164
Nº ref. fabric.:: SIRA88DP-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay SIRA88DP-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 45,5 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines, , config. Simple

Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 04/11/2024, con entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 3000)

0,151 €

(exc. IVA)

0,183 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
3000 - 3000	0,151 €	453,00 €
6000 +	0,143 €	429,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 134-9164
Nº ref. fabric.:: SIRA88DP-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de canal N, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	45,5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	30 V
Tipo de Encapsulado	PowerPAK SO-8
Serie	TrenchFET
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	10 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	2.4V
Tensión de umbral de puerta mínima	1.1V
Disipación de Potencia Máxima	25 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	+20 V
Longitud	6.25mm
Número de Elementos por Chip	1
Ancho	5.26mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs	16,8 nC a 10 V
Altura	1.12mm
Tensión de diodo directa	1.1V
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C