MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 100 V, ID 60 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

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Código RS:
919-4242
Nº ref. fabric.:
SIR870ADP-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

60A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

SiR870ADP

Encapsulado

SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

10.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.1V

Disipación de potencia máxima Pd

104W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

53.5nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1.12mm

Anchura

5.26 mm

Longitud

6.25mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de canal N, de 100 V a 150 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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