MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIR870ADP-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 60 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidad

Subtotal (1 paquete de 5 unidades)*

12,72 €

(exc. IVA)

15,39 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 4735 unidad(es) más para enviar a partir del 29 de junio de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"

Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
5 - 452,544 €12,72 €
50 - 1202,29 €11,45 €
125 - 2452,032 €10,16 €
250 - 4951,91 €9,55 €
500 +1,78 €8,90 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
787-9355
Nº ref. fabric.:
SIR870ADP-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

60A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

SiR870ADP

Encapsulado

SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

10.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

104W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

53.5nC

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

6.25mm

Altura

1.12mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal N, de 100 V a 150 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


Enlaces relacionados

Mantente al día de nuestras novedades y ofertas

Introduce tu dirección de correo

La información personal que nos proporciones al suscribirte se procesará de acuerdo con nuestra política de privacidad.