MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI4155DY-T1-GE3, VDSS -30 V, ID 13.6 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

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Código RS:
252-0246
Nº ref. fabric.:
SI4155DY-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

13.6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

-30V

Encapsulado

SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.03mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.1V

Disipación de potencia máxima Pd

5.6W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

58nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

La línea de productos de MOSFET Vishay Siliconix incluye una amplia gama de tecnologías avanzadas. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El efecto de campo significa que están controlados por tensión. El sustrato de MOSFET de canal P contiene electrones y orificios de electrones. Los MOSFET de canal P están conectados a una tensión positiva. Estos MOSFET se encienden cuando la tensión suministrada al terminal de puerta es inferior a la tensión de la fuente.

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