MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SIRS4301DP-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 227 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

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Código RS:
279-9959
Nº ref. fabric.:
SIRS4301DP-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

227A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

SO-8

Serie

SIRS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0015Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

132W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

548nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

5mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de Vishay es de canal P y el transistor que lleva está fabricado de un material conocido como silicio.

MOSFET de potencia TrenchFET

Probado al 100 % en cuanto a Rg y UIS

Mejora la disipación de potencia y la reducción de RthJC

Dispositivo completamente libre de plomo (Pb)

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