MOSFET, Tipo P-Canal Vishay, VDSS 20 V, ID 50 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 165-6938
- Nº ref. fabric.:
- SIR401DP-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*
1.326,00 €
(exc. IVA)
1.605,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 19 de abril de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,442 € | 1.326,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 165-6938
- Nº ref. fabric.:
- SIR401DP-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 50A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 7.7mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | -1.1V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 39W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 205nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1.12mm | |
| Longitud | 6.25mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 50A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 7.7mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf -1.1V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 39W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 205nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1.12mm | ||
Longitud 6.25mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de canal P, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS -30 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SO-8 de 8 pines