MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SIR401DP-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 50 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

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Código RS:
787-9342
Nº ref. fabric.:
SIR401DP-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

50A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

7.7mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

-1.1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

205nC

Disipación de potencia máxima Pd

39W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

12 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.25mm

Anchura

5.26 mm

Altura

1.12mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal P, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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