MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SIR5211DP-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 105 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

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Código RS:
279-9947
Nº ref. fabric.:
SIR5211DP-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

105A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Serie

SiR

Encapsulado

SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0062Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

158nC

Disipación de potencia máxima Pd

56.8W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

5.15mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El MOSFET de Vishay es de canal P y el transistor que lleva está fabricado de un material conocido como silicio.

MOSFET de potencia TrenchFET

Probado al 100 % en cuanto a Rg y UIS

Dispositivo completamente libre de plomo (Pb)

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