MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SIRA99DP-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 195 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

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Código RS:
188-5097
Nº ref. fabric.:
SIRA99DP-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

195A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

SiRA99DP

Encapsulado

SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.6mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

-1.1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

172.5nC

Disipación de potencia máxima Pd

104W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

16 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1.07mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

5 mm

Longitud

5.99mm

Estándar de automoción

No

P-Canal 30 V (D-S) MOSFET.

MOSFET de potencia de canal p Gen IV de TrenchFET®

RDS(on) muy bajo minimiza la caída de tensión y reduce la pérdida de conducción

Elimina la necesidad de la bomba de carga

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