MOSFET Vishay SI4447ADY-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 7,2 A, SO-8 de 8 pines

El MOSFET de canal P de montaje superficial Vishay es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 40V V y una tensión de fuente de puerta máxima de 20V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 45mohm a una tensión de fuente de puerta de 10V V. Ofrece una disipación de potencia máxima de 4,2W mW y una corriente de drenaje continua de 7,2A A. La tensión de accionamiento mínima y máxima para este transistor es de 4,5V V y 10V V respectivamente. El MOSFET se ha optimizado para menores pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

• Libre de halógenos
• Sin plomo (Pb)
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.
• MOSFET de potencia TrenchFET

• Interruptor adaptador
• Interruptores de carga
• Ordenadores portátiles

• ANSI/ESD S20,20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
• Rg probado
• UIS probado