MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI4447ADY-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 7.2 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

Código RS:: 180-7948
Nº ref. fabric.:: SI4447ADY-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI4447ADY-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 7.2 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

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Unidad(es)	Por unidad	Por Paquete*
20 - 180	0,538 €	10,76 €
200 - 480	0,452 €	9,04 €
500 - 980	0,431 €	8,62 €
1000 - 1980	0,409 €	8,18 €
2000 +	0,383 €	7,66 €

*precio indicativo

Código RS:: 180-7948
Nº ref. fabric.:: SI4447ADY-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld	7.2A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	40V
	Encapsulado	SO-8
	Serie	TrenchFET
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	62mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	11.8nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión directa Vf	-1.2V
	Disipación de potencia máxima Pd	2.7W
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	5mm
	Altura	1.75mm
	Anchura	6.2 mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Vishay
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld 7.2A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V
	Encapsulado SO-8
	Serie TrenchFET
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 62mΩ
	Modo de canal Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 11.8nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión directa Vf -1.2V
	Disipación de potencia máxima Pd 2.7W
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 5mm
	Altura 1.75mm
	Anchura 6.2 mm
	Estándar de automoción No

Datasheet

COO (País de Origen):: CN

MOSFET Vishay

El MOSFET de canal P de montaje superficial Vishay es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 40V V y una tensión de fuente de puerta máxima de 20V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 45mohm a una tensión de fuente de puerta de 10V V. Ofrece una disipación de potencia máxima de 4,2W mW y una corriente de drenaje continua de 7,2A A. La tensión de accionamiento mínima y máxima para este transistor es de 4,5V V y 10V V respectivamente. El MOSFET se ha optimizado para menores pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

Características y ventajas

• Libre de halógenos

• Sin plomo (Pb)

• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.

• MOSFET de potencia TrenchFET

Aplicaciones

• Interruptor adaptador

• Interruptores de carga

• Ordenadores portátiles

Certificaciones

• ANSI/ESD S20,20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• Rg probado