MOSFET, Tipo P-Canal Vishay, VDSS 30 V, ID 29 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

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Código RS:
180-7291
Nº ref. fabric.:
SI4459ADY-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

29A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

SO-8

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

7.7mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

5W

Tensión directa Vf

-1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

129nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

5mm

Anchura

6.2 mm

Altura

1.75mm

Estándar de automoción

No

MOSFET Vishay


El MOSFET de canal P de montaje superficial Vishay es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 30V V y una tensión de fuente de puerta máxima de 20V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 5mohm a una tensión de fuente de puerta de 10V V. Ofrece una disipación de potencia máxima de 7,8W mW y una corriente de drenaje continua de 29A A. La tensión de accionamiento mínima y máxima para este MOSFET es de 4,5V V y 10V V respectivamente. El MOSFET se ha optimizado para menores pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

Características y ventajas


• Libre de halógenos

• Sin plomo (Pb)

• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.

• MOSFET de potencia TrenchFET

Aplicaciones


• Interruptor adaptador

• Cuaderno

Certificaciones


• ANSI/ESD S20,20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• Rg probado

• Prueba UIS

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