MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiJA54ADP-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 126 A, Mejora, PowerPAK SO-8L de 4 pines
- Código RS:
- 268-8323
- Nº ref. fabric.:
- SiJA54ADP-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,784 € | 13,92 € |
| 50 - 95 | 2,508 € | 12,54 € |
| 100 - 245 | 2,016 € | 10,08 € |
| 250 - 995 | 1,98 € | 9,90 € |
| 1000 + | 1,368 € | 6,84 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 268-8323
- Nº ref. fabric.:
- SiJA54ADP-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 126A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | PowerPAK SO-8L | |
| Serie | SiJA | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0023Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 7nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 65.7W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 5.13mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 126A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado PowerPAK SO-8L | ||
Serie SiJA | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0023Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 7nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 65.7W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 5.13mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El MOSFET de potencia de generación 4 de canal N TrenchFET de Vishay es un dispositivo sin plomo ni halógenos. Tiene cables flexibles que proporcionan resistencia a tensión mecánica. Se utiliza como una aplicación de rectificación síncrona, inversores dc o ac.
Optimiza las características de conmutación
Conforme con ROHS
Probado por UIS al 100 por ciento
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