MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SIJ4819DP-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 44.4 A, Mejora, SO-8L de 7 pines
- Código RS:
- 279-9936
- Nº ref. fabric.:
- SIJ4819DP-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 4 - 56 | 3,153 € | 12,61 € |
| 60 - 96 | 2,863 € | 11,45 € |
| 100 - 236 | 2,548 € | 10,19 € |
| 240 - 996 | 2,493 € | 9,97 € |
| 1000 + | 2,443 € | 9,77 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 279-9936
- Nº ref. fabric.:
- SIJ4819DP-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 44.4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | SO-8L | |
| Serie | SIJ | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0207Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 65nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 73.5W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 5.13mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 44.4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado SO-8L | ||
Serie SIJ | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0207Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 65nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 73.5W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 5.13mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Vishay es de canal P y el transistor que lleva está fabricado de un material conocido como silicio.
MOSFET de potencia TrenchFET
Probado al 100 % en cuanto a Rg y UIS
Menos caída de tensión
Reduce la pérdida de conducción
Dispositivo completamente libre de plomo (Pb)
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