MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SIJ4819DP-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 44.4 A, Mejora, SO-8L de 7 pines

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Código RS:
279-9936
Nº ref. fabric.:
SIJ4819DP-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

44.4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Encapsulado

SO-8L

Serie

SIJ

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0207Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Disipación de potencia máxima Pd

73.5W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

65nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

5.13mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de Vishay es de canal P y el transistor que lleva está fabricado de un material conocido como silicio.

MOSFET de potencia TrenchFET

Probado al 100 % en cuanto a Rg y UIS

Menos caída de tensión

Reduce la pérdida de conducción

Dispositivo completamente libre de plomo (Pb)

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