MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiJA54ADP-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 126 A, Mejora, PowerPAK SO-8L de 4 pines

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Código RS:
268-8322
Nº ref. fabric.:
SiJA54ADP-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

126A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

PowerPAK SO-8L

Serie

SiJA

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0023Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

7nC

Disipación de potencia máxima Pd

65.7W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

5.13mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de generación 4 de canal N TrenchFET de Vishay es un dispositivo sin plomo ni halógenos. Tiene cables flexibles que proporcionan resistencia a tensión mecánica. Se utiliza como una aplicación de rectificación síncrona, inversores dc o ac.

Optimiza las características de conmutación

Conforme con ROHS

Probado por UIS al 100 por ciento

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