MOSFET, N-Canal Vishay SIRA04DP-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 40 A, PowerPAK SO-8

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Código RS:
256-7426
Nº ref. fabric.:
SIRA04DP-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

40A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

PowerPAK SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0095Ω

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El transmosfet de canal N de 30 V, 35,9 A y 8 contactos powerPAK SO T, R de Vishay Semiconductor. Sus aplicaciones son rectificación síncrona, dc, dc y VRM de alta densidad de potencia y dc, dc y dc integrados.

MOSFET de potencia TrenchFET

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