MOSFET, N-Canal Vishay SiRS700DP-T1-GE3, VDSS 171 V, ID 171 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines

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Código RS:
239-5395
Nº ref. fabric.:
SiRS700DP-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds)

171 V

Corriente continua máxima de drenaje (ld)

171 A

Encapsulado

PowerPAK SO-8

Número de pines

8

Estándar de automoción

No

Longitud

6 mm

Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds)

0.0035 Ω

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150 °C

Disipación de potencia máxima (Pd)

132 W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tipo de montaje

Superficie

Serie

SiR

Certificaciones y estándares

RoHS

Carga típica de puerta (Qg) @ Vgs

86 nC

Anchura

5 mm

The Vishay TrenchFET N channel power MOSFET has drain current of 171 A. It is used in synchronous rectification, primary side switch, DC/DC converter and motor drive switch.

Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM

100 % Rg and UIS tested

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